Silisiumnitrid-keramikksubstratet har en rekke fordeler, som høy styrke, høy seihet og eksepsjonell termisk ledningsevne (130W/(m-k)). Videre matcher dens termiske ekspan-sjonskoeffisient tett den til Si-, SiC- og GaN-halvledere. Derfor er silisiumnitrid-keramikksubstratet et ideelt valg for emballasje av høyytelsesmoduler, noe som gjør det bredt ansett som det mest egnede keramiske substratet.

Vårt selskap benytter direkte nitreringsprosess for å produsere høyrent silisiumpulver. Gjennom vår unike patenterte teknologi kontrollerer vi silisiummaterialet, nitreringsprosessen og raffineringsprosessen for å fremstille CF-HJ silisiumnitridpulver med høy renhet, høyt A-faseinnhold, smal partikkelstørrelsesfordeling og eksepsjonell sintringsaktivitet. Denne typen silisiumnitridpulver har effektivt avsluttet utenlandske monopoler og kan fungere som en fullt levedyktig erstatning for importert silisiumnitridpulver av samme kvalitetsnivå.